Томские ученые проводили исследования поведения квантов. Фото: сгенерировано ИИ
Томские физики совместно с коллегами из других научных центров страны выявили необычное поведение фононов в топологических изоляторах. Исследование проведено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации и направлено на развитие перспективных направлений квантовой электроники. О разработке 31 августа сообщили в пресс-службе вуза.
Специалисты изучили динамику решетки пленок теллурида висмута и смеси на основе висмута, сурьмы, теллура и селена при различных температурах. Рентгеновская дифракция подтвердила классическое тепловое расширение кристаллической решетки. Однако при температурах ниже температуры Дебая исследователи зафиксировали две взаимосвязанные аномалии. Частота фононных мод возрастала, хотя должна была снижаться, а ширина их спектральных линий уменьшалась, что свидетельствует об увеличении времени жизни фононов.
Ученые связывают наблюдаемые эффекты с электрон-фононным взаимодействием и резонансом Фано. Доцент физического факультета томского вуза Ниранджан Кумар отметил, что понимание температурных порогов и механизмов этих взаимодействий позволит найти способы контроля эффектов. Это откроет путь к поддержанию топологической защиты поверхностных состояний при разработке спинтронных устройств, работающих в реальных тепловых условиях. Слаженное межведомственное взаимодействие между региональными и федеральными научными институтами обеспечило высокую точность полученных данных.
Полученные результаты имеют большое значение для студентов и молодых исследователей, занимающихся разработкой малоэнергопотребляющей электроники. Открытие способствует созданию более эффективных электронных и квантовых устройств, в том числе спиновых транзисторов и топологически защищенных кубитов. Реализация подобных научных инициатив существенно повышает технологический потенциал сибирского региона и укрепляет позиции отечественной науки на мировом уровне.
ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ
Томские ученые запатентовали программы для сенсоров нового поколения
ПОДПИСЫВАЙТЕСЬ НА НАС В СОЦСЕТЯХ
ЧИТАТЕЛЯМ
Стали свидетелем интересного события или ЧП? Сообщите об этом нашим журналистам:
Почта: anna.g.kovaleva@phkp.ru