Boom metrics
НовостиОбщество3 февраля 2026 15:45

Томские ученые создали отечественную технологию производства полупроводника

Разработка ТГУ и московского партнера заменит импортные аналоги и будет применена в синхротроне СКИФ в наукограде Кольцово
Ранее в России использовалось оборудование на базе импортного арсенида галлия, поставки которого прекратились

Ранее в России использовалось оборудование на базе импортного арсенида галлия, поставки которого прекратились

Фото: Александр БОЙКО. Перейти в Фотобанк КП

Ученые Центра перспективных технологий в микроэлектронике Томского государственного университета разработали и внедрили технологию производства арсенида галлия, компенсированного хромом. Новый материал станет основой для детекторов рентгеновских цветовых изображений, применяемых в промышленности, медицине и научных исследованиях.

Технологический прорыв достигнут в условиях импортозамещения критически важных компонентов микроэлектроники. Основной задачей томских специалистов стала разработка и постановка технологического процесса компенсации арсенида галлия примесью хрома с адаптацией под отечественные материалы. Как сообщил директор Центра перспективных технологий в микроэлектронике ТГУ Олег Толбанов, ученым удалось сформировать полный пакет программно-методической документации и обеспечить воспроизводимость результатов на промышленном уровне.

Особое значение разработки обусловлено уникальными свойствами материала. Состав арсенида галлия, компенсированного хромом, обеспечивает максимальную устойчивость к радиационному воздействию. Благодаря этому полупроводник был выбран для детектора, разработанного ТГУ совместно с Институтом ядерной физики Сибирского отделения Российской академии наук. Устройство будет установлено на синхротроне СКИФ, строящемся в наукограде Кольцово Новосибирской области.

Главный конструктор составной части опытно-конструкторских работ Андрей Зарубин подтвердил, что разработанные структуры прошли все предусмотренные испытания и полностью соответствуют требованиям технического задания Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. По его словам, эксплуатационные характеристики отечественного материала достигли параметров, не уступающих образцам, изготовленным на основе импортных компонентов.

Проект стал примером успешного межведомственного взаимодействия: научные коллективы Томска и Новосибирска, промышленное предприятие из Москвы и федеральное министерство объединили усилия для решения задачи технологического суверенитета. Томский государственный университет, традиционно входящий в число лидеров российской микроэлектроники, продолжает укреплять статус Сибири как центра высокотехнологичных разработок. Результаты исследования будут использованы не только в фундаментальной науке, но и в медицинской диагностике, промышленном контроле качества и других отраслях, требующих прецизионных рентгеновских измерений. Ранее мы писали, что томские спасатели за неделю пять раз вскрывали двери в квартиры.

ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ:

Студенты ТГАСУ представили 11 концепций сквера памяти Владимира Высоцкого

ПОДПИСЫВАЙТЕСЬ НА НАС В СОЦСЕТЯХ:

ВКонтакте

Одноклассники

ЧИТАТЕЛЯМ:

Стали свидетелем интересного события или ЧП? Сообщите об этом нашим журналистам:

Почта: anna.g.kovaleva@phkp.ru